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transcend/創(chuàng)見 MTE460T & MTE460T-I

創(chuàng)見MTE460T PCIe M.2 SSD搭載 PCIe Gen 3 x2 傳輸接口，采用112層3D NAND 閃存，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。MTE460T搭載 30μ" 金手指厚金鍍層 PCB、邊緣粘合 (Corner Bond) 技術與抗硫化電阻，強化關鍵組件保護，抵御嚴苛的工業(yè)應用環(huán)境。MTE460T經(jīng)過嚴格的廠內(nèi)測試。具備類寬溫特性(-20°C~75°C)，并可依據(jù)客戶需求提供寬溫規(guī)格（-40°C~85°C），在急遽溫差變化下仍能穩(wěn)定運作，展現(xiàn)高度可靠性。

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外觀
尺寸	42 mm x 22 mm x 3.58 mm (1.65" x 0.87" x 0.14")
重量	5 g (0.18 oz)
M.2規(guī)格	2242-D2-B-M (雙面的)
外觀尺寸	M.2 2242
界面
總線接口	NVMe PCIe Gen3 x2
存儲
容量	128 GB/ 256 GB/ 512 GB/ 1 TB
Flash類型	112層3D閃存
操作環(huán)境
工作電壓	3.3V±5%
工作溫度	類寬溫 -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) 寬溫 -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
儲存溫度	-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
濕度	5% ~ 95%
耐沖擊	15 G, 11 ms, 3 axis
耐振動 (操作中)	20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2,000 Hz (frequency)
電量
耗電量 (操作中)	2.9 瓦
耗電量 (IDLE)	0.33 瓦
效能
連續(xù)讀寫速度(CrystalDiskMark)	讀取: 高達 1,700 MB/s 寫入: 高達 1,500 MB/s
4K隨機讀寫速度(IOmeter)	讀取: 高達 92,000 IOPS 寫入: 高達 225,000 IOPS
平均故障間隔(MTBF)	3,000,000 小時
寫入兆位元組(TBW)	高達 900 TBW
每日全盤寫入次數(shù)(DWPD)	0.86 (3 年)
備注	傳輸速度會因您的系統(tǒng)效能（硬件、軟件、使用方式、產(chǎn)品容量）而有所不同。用于評估DWPD的工作負載可能與實際工作負載不同，實際工作負載可能因（硬件、軟件、使用情況、產(chǎn)品容量）而異。寫入兆位元組（TBW)數(shù)值以該系列產(chǎn)品最高容量為主。