NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結(jié)構(gòu)。它的名字來源于邏輯門(NOT-AND)，用于確定數(shù)字信息如何存儲在閃存設(shè)備的芯片中。它可以分為SLC、MLC、eMLC和TLC，下面我們具體了解一下。

SLC

SLC(Single-Level Cell，單層單元)SSD在每個單元中存儲一個Bit，這種設(shè)計提高了耐久性、準(zhǔn)確性和性能。對于企業(yè)的關(guān)鍵應(yīng)用程序和存儲服務(wù)，SLC是首選的閃存技術(shù)。當(dāng)然，它的價格最高。

MLC

考慮到閃存的消費級特性，MLC(Multi-Level Cell，多層單元)架構(gòu)可以為每個單元存儲2個Bit。盡管在存儲單元中存儲多個Bit似乎能夠很好地利用空間，在相同空間內(nèi)獲得更大容量，但它的代價是使用壽命降低，可靠性降低。相對而言，MLC SSD使得在PC和筆記本電腦上增加閃存成為可能。

eMLC

eMLC(Enterprise Multi-Level Cell，企業(yè)多級單元)是MLC NAND 閃存的一個“增強型”的版本，它在一定程度上彌補了SLC和MLC之間的性能和耐久差距。eMLC驅(qū)動器比MLC驅(qū)動器貴，但比SLC驅(qū)動器便宜得多。盡管每個單元仍然存儲2個Bit，但eMLC驅(qū)動器的控制器管理數(shù)據(jù)放置、磨損均衡和一些其他存儲操作延長了eMLC SSD的使用壽命。

TLC

相較于SLC和MLC的Nand閃存，最便宜的是TLC(Triple-Level Cell，三層單元)NAND閃存，每個單元存儲3Bit。通常用于性能和耐久性要求相對較低的電子產(chǎn)品，最適合于包含大量讀取操作的應(yīng)用程序，但是隨著閃存體系結(jié)構(gòu)的最新改進，3D TLC NAND Flash對持久增強的數(shù)據(jù)放置和錯誤糾正技術(shù)，使該技術(shù)在讀密集型企業(yè)存儲應(yīng)用程序和工業(yè)存儲環(huán)境中開始了批量使用。

總結(jié)

每種類型的NAND閃存都有不同的使用壽命，這意味著它會在SSD降級并最終失效之前提供有限數(shù)量的P/E周期。當(dāng)然，除了制造缺陷，電力激增或其他災(zāi)難性的破壞可能導(dǎo)致SSD的失效，這是決定SSD支持的存儲工作負(fù)載和應(yīng)用程序類型的主要影響因素。